等離子去膠機是適用于硅基半導(dǎo)體及化合物半導(dǎo)體前后道的等離子體去膠設(shè)備，主要用于光刻膠的剝離或灰化，也可用于有機及無機殘留物的去除，去除殘膠以及等離子刻蝕的應(yīng)用，清洗微電子元件、電路板上鉆孔或銅線框架，提高黏附性等，它的設(shè)計緊湊，占地面積小，設(shè)備運行穩(wěn)定可靠、易于維護、產(chǎn)能高。它的工藝簡單、效率高，處理后無酸氣廢水等殘留。
 

　　影響等離子去膠機處理效果的四大因素：
 

　　1.頻率的調(diào)整：頻率越高，氧越易電離構(gòu)成等離子體。頻率太高，以致電子振幅比其平均自由程還短，則電子與氣體分子磕碰概率反而減少，使電離率降低。
 

　　2.功率的調(diào)整：關(guān)于必定量的氣體，功率大，等離子體中的的活性粒子密度也大，去膠速度也快；但當(dāng)功率增大到必定值，反響所能耗費的活性離子到達(dá)飽滿，功率再大，去膠速度則無顯著添加。由于功率大，基片溫度高，所以應(yīng)根據(jù)技術(shù)需求調(diào)理功率。
 

　　3.真空度的調(diào)整：恰當(dāng)?shù)恼婵斩?，可使電子運動的平均自由程變大，因而從電場取得的能量就大，有利電離。別的當(dāng)氧氣流量必守時，真空度越高，則氧的相對份額就大，發(fā)生的活性粒子濃度也就大。但若真空度過高，活性粒子濃度反而會減小。
 

　　4.氧氣流量的調(diào)整：氧氣流量大，活性粒子密度大，去膠速率加速；但流量太大，則離子的復(fù)合概率增大，電子運動的平均自由程縮短，電離強度反而降低。若反響室壓力不變，流量增大，則被抽出的氣體量也添加，其間尚沒參與反響的活性粒子抽出量也隨之添加，因而流量添加對去膠速率的影響也就不甚顯著。
 

　　看完以上分享，相信大家對等離子去膠機的使用一定有了更深入的了解！